10月31日|安森美(onsemi)宣佈推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體。據介紹,對於超高壓器件,安森美的垂直氮化鎵(vGaN)採用GaN-on-GaN技術,使電流能夠垂直流過芯片,而不是沿表面橫向流動。,這一方案降低能量損耗和熱量,損耗減少近50%。目前安森美向早期客户提供700V和1200V器件樣品。