繼在隨機存取記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND Flash）領域稱霸全球後，南韓政府正將戰略目光投向被譽為下一個科技金雞母的「次世代功率半導體」，試圖將其打造為堪比記憶體晶片的國家級核心戰略產業。
南韓政府日前正式啟動「超創新經濟項目」，預計投入 5,000 億韓元（約合新台幣 116 億元）的國家專項資金，全力攻關下一代功率半導體技術。
若加計民間配套資金，該研發專案的總投資規模預計將擴大至 7,500 億韓元（約合新台幣 174 億元），展現南韓政府搶佔國際半導體新戰場的強烈雄心。
根據《首爾經濟日報》報導，這項攸關南韓半導體未來十年競爭力的重大政策，已在南韓副總理兼企劃財政部長官具允哲主持的緊急經濟指揮部會議上正式敲定。
南韓政府計劃於本月內完成次世代功率半導體商業化的技術路線圖，並強制要求國內產業鏈上下游企業，全面參與從上游材料、中游設備與模組，到下游系統演示的完整生命週期開發。
在南韓官方的戰略藍圖中，次世代功率半導體已與小型模組化反應爐（SMR）及感測器人工智慧（Sensor AI）並列，被視為引領南韓未來經濟成長的三大核心引擎。
具允哲強調，政府將以破釜沉舟的決心推進結構性改革與超創新項目，戮力培育出「第二、第三個半導體」神話。
本次南韓國家隊的攻關核心，將高度聚焦在以碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體（即第三代半導體）。
為此，南韓產業通商資源部先前已特別成立專責工作小組，重點任務在於升級並擴建釜山、浦項等地方專業半導體園區的晶圓廠產能，加速從實驗室研發走向規模化量產。
功率半導體作為電能轉換與控制的關鍵元件，在當前 AI 算力爆發、綠能轉型的浪潮中扮演決定性角色。無論是 AI 資料中心的電力穩定運作、新能源電動車的續航力提升，抑或是智慧電網的佈建，都極度依賴高品質的功率半導體。
相較於傳統的矽基（Si）半導體，SiC 與 GaN 等第三代半導體材料具備耐高壓、耐高溫及高頻運作等物理特性，能大幅降低能量損耗，被產業 consensus 視為優化 AI 算力能效與電動車電控系統的終極解決方案。
從市場基本面來看，功率半導體產業正迎來新一波強勁的景氣上行週期。根據知名投信與券商的最新研究報告指出，受惠於全球晶圓代工成熟製程產能收縮，加上 AI 算力需求迎來毀滅式爆發，全球功率半導體市場正呈現結構性供需吃緊。
其中，金氧半場效電晶體（MOSFET）及第三代半導體元件價格欲小不易，部分龍頭業者今年內甚至已二度調漲報價。
此外，AI 伺服器導入 800V 高壓直流電、固態變壓器等次世代架構，更進一步加速拉動高階功率元件的拉貨動能，推升 SiC 與 GaN 市場進入高速成長通道。
南韓此時舉全國之力重金切入，顯然企圖在歐美美、日及台灣業者環伺的功率半導體版圖中，強行超車奪取主導權。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網